NVE Corporationの業績推移
(単位:百万円) | 前年比 | |
---|---|---|
2022年3月 | 12 | -6.44% |
2021年3月 | 13 | -15.92% |
2020年3月 | 15 | +11.79% |
2019年3月 | 14 | -6.16% |
2018年3月 | 15 | +5.89% |
2016年3月 | 14 | -3.77% |
2015年3月 | 14 | +19.91% |
2014年3月 | 12 | -1.93% |
2013年3月 | 12 | -1.3% |
2012年3月 | 12 |
NVE社は、取得、保存、情報を送信するために電子スピンに依存しているナノテクノロジーを開発し、スピントロニクスを使用するデバイスを販売しています。当社は、データを取得し、送信するために使用されるセンサーやカプラなどのスピントロニクス製品を製造しています。また、当社はスピントロニクス磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ技術(MRAM)をライセンス供与しています。その部品は、産業、科学、および医療用途に見られます。同社の製品は、センサー、カプラーおよびMRAM製品が含まれます。そのセンサ製品は、磁界の強さや傾きを検出し、位置または速度を決定するために使用されます。そのスピントロニクスカプラーは、GMRセンサ素子とIsoLoop統合顕微鏡コイルを組み合わせます。 MRAMは、データを格納するスピントロニクスを利用します。これは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュメモリの不揮発性の密度の速度を組み合わせました。データは、薄い金属合金膜中の電子のスピンに格納されます。
NVE社は、取得、保存、情報を送信するために電子スピンに依存しているナノテクノロジーを開発し、スピントロニクスを使用するデバイスを販売しています。当社は、データを取得し、送信するために使用されるセンサーやカプラなどのスピントロニクス製品を製造しています。また、当社はスピントロニクス磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ技術(MRAM)をライセンス供与しています。その部品は、産業、科学、および医療用途に見られます。同社の製品は、センサー、カプラーおよびMRAM製品が含まれます。そのセンサ製品は、磁界の強さや傾きを検出し、位置または速度を決定するために使用されます。そのスピントロニクスカプラーは、GMRセンサ素子とIsoLoop統合顕微鏡コイルを組み合わせます。 MRAMは、データを格納するスピントロニクスを利用します。これは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュメモリの不揮発性の密度の速度を組み合わせました。データは、薄い金属合金膜中の電子のスピンに格納されます。
(単位:百万円) | 前年比 | |
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2022年3月 | 12 | -6.44% |
2021年3月 | 13 | -15.92% |
2020年3月 | 15 | +11.79% |
2019年3月 | 14 | -6.16% |
2018年3月 | 15 | +5.89% |
2016年3月 | 14 | -3.77% |
2015年3月 | 14 | +19.91% |
2014年3月 | 12 | -1.93% |
2013年3月 | 12 | -1.3% |
2012年3月 | 12 |